ATP101-TL-H

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

ATP101-TL-H datasheet

• Маркировка
  ATP101-TL-H
• Производитель
  Sanyo Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor ATP101-TL-H RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 25 A Resistance Drain-Source RDS (on): 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: ATPAK Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 30 W
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet ATP101-TL-H.pdf
Файл формата Pdf 173,75 KB